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單選題

1、按（）來(lái)分，集成電路分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。

A、功能結(jié)構(gòu)

B、制作工藝

C、集成度高低

D、導(dǎo)電類型

2、善意使用是規(guī)定在《條例》的（）。

A、第24條

B、第33條

C、第34條

D、第54條

3、EMIB理念跟基于硅中介層的2.5D封裝類似，是通過(guò)（）進(jìn)行局部高密度互連。

A、中介層

B、基板

C、硅片

D、晶圓

4、在硅晶片的國(guó)產(chǎn)化情況中，硅晶片以（）以下為主。

A、14寸

B、12寸

C、8寸

D、6寸

5、自2017年開(kāi)始，集成電路布圖設(shè)計(jì)的登記申請(qǐng)量和授權(quán)發(fā)證量均呈現(xiàn)（）的趨勢(shì)。

A、趨于平穩(wěn)

B、慢速增長(zhǎng)

C、快速下降

D、快速增長(zhǎng)

6、EMIB盡管在（）年就被提出，但具體的結(jié)構(gòu)、工藝、樣品性能等，是在2016年ECTC發(fā)表的論文中首次詳細(xì)出現(xiàn)。

A、2011

B、2012

C、2013

D、2014

7、布圖設(shè)計(jì)權(quán)利人享有（）。

A、分配權(quán)

B、租賃權(quán)

C、專有權(quán)

D、分享權(quán)

8、20世紀(jì)70年代以前（通孔插裝時(shí)代），封裝技術(shù)是以（）為代表的針腳插裝，特點(diǎn)是插孔安裝到PCB板上。

A、SoC

B、DIP

C、SIP

D、WLP

9、隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，器件做得越來(lái)越（），集成度越來(lái)越（），人們對(duì)材料的要求也越來(lái)越（）。

A、大、高、突出

B、小、高、突出

C、小、低、突出

D、大、低、突出

10、在封裝專利中，聚焦于倒裝型、扇出型、晶圓片上的芯片、嵌入式IC等關(guān)鍵技術(shù)方向的先進(jìn)封裝占據(jù)了申請(qǐng)總量的（），而傳統(tǒng)封裝僅占據(jù)了申請(qǐng)總量的32%。

A、88%

B、78%

C、68%

D、58%

11、單晶爐是一種在（）氣體環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。

A、高溫

B、惰性

C、壓縮

D、液化

12、功率半導(dǎo)體受益于我國(guó)下游的一些新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，未來(lái)其增量空間（）。

A、較大

B、較小

C、不明確

D、難以預(yù)測(cè)

13、在傳統(tǒng)的OS+CPU體系中，（）主要用于服務(wù)器等高端產(chǎn)品。

A、RISC

B、ARM+Android

C、CISC

D、微架構(gòu)

14、（）是以一個(gè)IC芯片所包含的元件(晶體管或門/數(shù))來(lái)衡量。

A、芯片面積

B、特征尺寸

C、集成度

D、晶片直徑

15、從區(qū)域分布情況來(lái)看，我國(guó)集成電路企業(yè)（）密度最高。

A、粵港澳

B、淮海經(jīng)濟(jì)帶

C、長(zhǎng)三角

D、京津冀

16、（）年，第一個(gè)電子管誕生。

A、1906

B、2006

C、1927

D、2007

17、集成電路的開(kāi)發(fā)、制造基本工藝有（）個(gè)。

A、5

B、6

C、7

D、8

18、在全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈上，我國(guó)處在（）。

A、上游

B、中上游

C、中下游

D、下游

19、第一代半導(dǎo)體材料主要為（）、鍺等元素材料。

A、硅

B、砷化鎵

C、磷化銦

D、碳化硅

20、從細(xì)分產(chǎn)業(yè)上看，國(guó)內(nèi)（）是集成電路行業(yè)中最具發(fā)展活力的領(lǐng)域。

A、集成電路制造業(yè)

B、封裝業(yè)

C、集成電路設(shè)計(jì)業(yè)

D、芯片制造業(yè)

21、目前，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化低于（），國(guó)內(nèi)市場(chǎng)被國(guó)外巨頭壟斷。

A、20%

B、30%

C、40%

D、50%

22、（）年，我國(guó)研制出第一臺(tái)光刻機(jī)——65型接觸式光刻機(jī)，其技術(shù)僅次于美國(guó)、日本。

A、1980

B、1955

C、2000

D、1965

23、要提取高純度的硅材料需要用到硅砂，它是一種二氧化硅含量高達(dá)（）%的特殊材料。

A、50

B、60

C、80

D、95

24、商業(yè)秘密保護(hù)與布圖設(shè)計(jì)保護(hù)的關(guān)系是（）。

A、相互獨(dú)立

B、后者能覆蓋前者

C、前者可以覆蓋后者

D、前者不能覆蓋后者

25、光生伏特效應(yīng)是由（）發(fā)現(xiàn)的。

A、法國(guó)科學(xué)家牛頓

B、英國(guó)科學(xué)家牛頓

C、英國(guó)科學(xué)家貝克雷爾

D、法國(guó)科學(xué)家貝克雷爾

26、（）是光刻工藝最重要的耗材，是一種通過(guò)特定光源照射下發(fā)生局部溶解度變化的光敏材料。

A、光刻膠

B、拋光液

C、芯片

D、晶片

27、實(shí)現(xiàn)社會(huì)信息化的網(wǎng)絡(luò)及其關(guān)鍵部件，不管是各種計(jì)算機(jī)還是通訊設(shè)備，它們的基礎(chǔ)都是（）。

A、光電子器件

B、集成電路

C、傳感器

D、存儲(chǔ)器

28、在生活中，所有物體根據(jù)其導(dǎo)電性可以分為（）類。

A、一

B、二

C、三

D、四

29、現(xiàn)階段我國(guó)急需做的是（）寸的硅晶圓。

A、6

B、8

C、10

D、12

30、電子材料主要應(yīng)用在（）和（）中，是以（）為主要目的的學(xué)科和技術(shù)。

A、電子學(xué)、材料學(xué)、應(yīng)用

B、電子學(xué)、先進(jìn)電子學(xué)、理論學(xué)習(xí)

C、_電子學(xué)、微電子學(xué)、理論學(xué)習(xí)

D、電子學(xué)、微電子學(xué)、應(yīng)用

31、從制造成本上來(lái)看，第（）代半導(dǎo)體材料制造成本最低。

A、一

B、二

C、三

D、四

32、（）通常以掩模版圖和全套工藝文件的形式提供給用戶（芯片生產(chǎn)廠家）。

A、固核

B、結(jié)構(gòu)核

C、硬核

D、軟核

33、摩爾定律是1965年由戈登·摩爾（GordonMoore）提出來(lái)的，他說(shuō)集成電路里晶體管數(shù)量每（）個(gè)月翻一番。

A、8

B、12

C、16

D、18

34、在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，（）占比最大。

A、惰性氣體

B、拋光液

C、硅片

D、光刻膠

35、凸點(diǎn)制作是晶圓級(jí)封裝工藝過(guò)程的關(guān)鍵工序，它是在晶圓的（）上形成凸點(diǎn)。

A、表面

B、底層

C、連接區(qū)

D、新焊接區(qū)

36、2014年6月，國(guó)務(wù)院發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，明確集成電路產(chǎn)業(yè)未來(lái)幾年的發(fā)展目標(biāo)，到（）年16/14nm制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

A、2016

B、2020

C、2024

D、2030

37、量子點(diǎn)激光器屬于（）納米材料。

A、三維

B、二維

C、一維

D、零維

38、我國(guó)的集成電路行業(yè)發(fā)展較晚，除了（）較為領(lǐng)先外，芯片設(shè)計(jì)、芯片制造行業(yè)的整體水平與歐美國(guó)家有著明顯的差距。

A、封測(cè)技術(shù)

B、設(shè)備制造

C、新材料研發(fā)

D、晶圓制備

39、集成電路的技術(shù)層級(jí)有（）大類。

A、5

B、6

C、7

D、8

40、（）從狹義角度講，它是信息系統(tǒng)核心的芯片集成,是將系統(tǒng)關(guān)鍵部件和嵌入軟件集成在一塊芯片中。

A、SoC

B、CPU

C、IP

D、IC

41、芯片設(shè)計(jì)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于產(chǎn)業(yè)鏈的（），是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展較為迅速的領(lǐng)域。

A、上游

B、中游

C、下游

D、底端

42、《條例》對(duì)強(qiáng)制許可的限定條款是（）。

A、第二十四條至第二十八條

B、第二十五條至第二十九條

C、第二十三條至第二十九條

D、第二十五條至第二十八條

43、光刻是通過(guò)光線將電路圖案“印刷”到（）上。

A、單晶硅

B、薄膜

C、陶瓷

D、晶圓

44、按（）來(lái)份，集成電路分為雙極型和單極型。

A、功能結(jié)構(gòu)

B、制作工藝

C、集成度高低

D、導(dǎo)電類型

45、我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)所面臨的人才結(jié)構(gòu)瓶頸，突出表現(xiàn)為行業(yè)（）稀缺。

A、從業(yè)人員

B、產(chǎn)業(yè)工人

C、高端人才

D、服務(wù)人員

46、集成電路，英文為（），縮寫為IC。

A、Intellectual Circuit

B、Identity Card

C、Integrated Circuit

D、Integrated Construction

47、光刻膠市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)，（）占比最高。

A、g/i光刻膠

B、EUV

C、ArFi

D、KrF

48、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起源于（）。

A、美國(guó)

B、日本

C、中國(guó)

D、英國(guó)

49、（）是電子產(chǎn)品的核心，是信息產(chǎn)業(yè)的基石，被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。

A、芯片

B、處理器

C、半導(dǎo)體

D、CPU

50、（）介于軟核與硬核之間、在軟核的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的一種可綜合的并帶有布局規(guī)劃的軟核，以便對(duì)軟核進(jìn)行參數(shù)化。

A、結(jié)構(gòu)核

B、層級(jí)核

C、微架構(gòu)

D、固核

51、半導(dǎo)體發(fā)展的標(biāo)志性產(chǎn)品是（）。

A、集成電路

B、光刻膠

C、硅片

D、CPU

52、大多數(shù)高溫半導(dǎo)體材料仍處在（）研制階段。

A、微商

B、實(shí)驗(yàn)室

C、小企業(yè)

D、社團(tuán)

53、在電力電子器件方面，最早最成熟的碳化硅器件是（）。

A、六角螺旋結(jié)構(gòu)二極管

B、鉛鋅礦結(jié)構(gòu)二極管

C、逆變二極管

D、肖特基勢(shì)壘二極管

54、EMIB技術(shù)最早由（）的Mahajan和Sane于2008年提出，后又經(jīng)Braunisch和Starkston等改進(jìn)，近年來(lái)已發(fā)展成為英特爾最具代表性的先進(jìn)封裝技術(shù)之一。

A、臺(tái)積電

B、蘋果

C、英特爾

D、微軟

55、第（）代半導(dǎo)體材料是推動(dòng)和支撐下一代產(chǎn)業(yè)革命的基礎(chǔ)。

A、一

B、二

C、三

D、四

56、下列選項(xiàng)中，屬于一維納米材料的有（）。

A、納米塊

B、納米棒

C、超晶格

D、納米薄膜

57、我國(guó)集成電路起步（），中科院計(jì)算機(jī)研究所在（）年成功研制了（）大型電子計(jì)算機(jī)。

A、晚、1976、1000萬(wàn)次

B、早、1976、1000萬(wàn)次

C、晚、1976、100萬(wàn)次

D、早、1976、100萬(wàn)次

58、WLP就是直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的（）測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割，制成單顆芯片。

A、包裝

B、電氣

C、封裝

D、功能

59、（）年，賓尼西和羅雷爾制造出世界上第一臺(tái)掃描隧道顯微鏡。

A、1978年

B、1979年

C、1980年

D、1981年

60、（）年左右，我國(guó)成為世界第二大半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)。

A、1900

B、1950

C、2000

D、2010

61、隨著封裝技術(shù)的不斷發(fā)展， MCP、SiP、SoP、PoP、SCSP、SDP、WLP等封裝結(jié)構(gòu)成為主流，并為趨于（）方向封裝發(fā)展的3D（三維）集成封裝、TVS（硅通孔）集成等技術(shù)研發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

A、X

B、Y

C、Z

D、O

62、一個(gè)國(guó)家進(jìn)入信息化社會(huì)的判據(jù)是：半導(dǎo)體產(chǎn)值占工農(nóng)業(yè)總產(chǎn)值的（）。

A、0.5%

B、5%

C、1%

D、10%

63、目前LTCC基板采用的散熱方式主要是在功率元器件（）的基板中制作高熱導(dǎo)率的金屬化直通孔陣列；或在基板上開(kāi)直通空腔，將功率元器件直接組裝到散熱板上。

A、上方

B、下方

C、中間

D、外面

64、下列選項(xiàng)中，屬于傳統(tǒng)電子材料的是（）。

A、自旋電子材料

B、第三代半導(dǎo)體材料

C、陶瓷材料

D、納米電子材料

65、車載傳感器芯片可以分為車輛感知和（）感知。

A、動(dòng)力

B、環(huán)境

C、底盤

D、車身

66、剛切割下來(lái)的芯片很脆弱且不能交換電信號(hào)，需要單獨(dú)進(jìn)行處理。這一處理過(guò)程就是（），包括在半導(dǎo)體芯片外部形成保護(hù)殼和讓它們能夠與外部交換電信號(hào)。

A、蝕刻

B、封裝

C、打磨

D、測(cè)試

67、眾所周知，在芯片的整個(gè)環(huán)節(jié)中，（）是最關(guān)鍵、市場(chǎng)份額最大的核心環(huán)節(jié)。

A、封裝

B、晶圓制造

C、集成電路

D、芯片制造

68、在制造集成電路時(shí)，當(dāng)漏電流達(dá)到（）時(shí)，器件將無(wú)法工作。

A、50%

B、40%

C、30%

D、20%

69、2022年，在全世界半導(dǎo)體銷售中，（）憑借總額283億美元的銷售額，份額達(dá)26.3%，連續(xù)3年拿下了全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)寶座。

A、美國(guó)

B、中國(guó)大陸

C、中國(guó)臺(tái)灣

D、日本

70、（）是指的在材料結(jié)構(gòu)、工藝品質(zhì)和精度、可靠性以及穩(wěn)定性等性能方面，達(dá)到了半導(dǎo)體設(shè)備及技術(shù)要求的零部件。

A、封裝零部件

B、半導(dǎo)體零部件

C、測(cè)控零部件

D、制造零部件

71、專利申請(qǐng)的主要受理國(guó)集中在美國(guó)、中國(guó)、日本以及韓國(guó)，（）以24522件占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。

A、美國(guó)

B、中國(guó)

C、法國(guó)

D、德國(guó)

72、芯片測(cè)試在芯片的價(jià)值鏈中按照不同階段又分成（）測(cè)試和最終測(cè)試。

A、材料

B、生產(chǎn)

C、晶圓

D、設(shè)計(jì)

73、《條例》第十二條規(guī)定了（）。

A、對(duì)強(qiáng)制許可的限定

B、保護(hù)期限

C、權(quán)利用盡

D、合理使用

74、根據(jù)中汽的中心數(shù)據(jù)顯示，車規(guī)級(jí)MCU芯片到2026年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)到（）億美元。

A、66

B、77

C、88

D、99

多選題

1、常見(jiàn)的半導(dǎo)體的材料，主要是由（）、（）等元素，以及（）、（）等化合物，所形成的一種材料。

A、硅

B、鍺

C、碳

D、砷化鎵

E、氮化鎵

2、IDM這類企業(yè)主要有（）。

A、臺(tái)積電

B、德州儀器

C、華為海思

D、三星

E、LG

3、集成電路產(chǎn)業(yè)鏈有（）。

A、芯片（chip）設(shè)計(jì)

B、晶圓（wafer）和芯片制造

C、晶圓和芯片設(shè)備制造

D、芯片封裝（package）、測(cè)試（test）

E、芯片材料生產(chǎn)

4、在加工芯片的過(guò)程中，光刻機(jī)通過(guò)一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過(guò)畫著線路圖的（），經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例（）后映射到硅片上，然后使用（）方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。

A、掩模

B、縮小

C、化學(xué)

D、物理

E、擴(kuò)大

5、2020年國(guó)務(wù)院出臺(tái)的《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中明確提出，進(jìn)一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國(guó)際合作，提升產(chǎn)業(yè)（）。

A、創(chuàng)新能力

B、銷售數(shù)量

C、發(fā)展質(zhì)量

D、投資總額

E、人才引進(jìn)

6、下列選項(xiàng)中屬于第三代半導(dǎo)體材料的有（）。

A、氮化鈣

B、氮化鎵

C、碳化硅

D、氧化鋅

E、碳化鈣

7、根據(jù)曝光波長(zhǎng)的不同，目前市場(chǎng)上應(yīng)用較多的光刻膠可分為（）。

A、g線

B、i線

C、ArF

D、KrF

E、EUV

8、（）、（）、（）已成為汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展潮流和趨勢(shì)，半導(dǎo)體是支撐汽車“三化”升級(jí)的關(guān)鍵。

A、電動(dòng)化

B、小型化

C、網(wǎng)聯(lián)化

D、智能化

E、自動(dòng)化

9、半導(dǎo)體主要有哪些特征？（）

A、溫度效應(yīng)

B、光生伏特效應(yīng)

C、整流效應(yīng)

D、光電導(dǎo)效應(yīng)

E、壓強(qiáng)效應(yīng)

10、現(xiàn)階段先進(jìn)封裝主要是指（）。

A、2.5D封裝

B、3D封裝

C、SiP

D、Chiplet

E、BGA

11、氮化鎵在高頻段有著（）等優(yōu)勢(shì)，這成為未來(lái)高速應(yīng)用的主要頻譜。

A、功率小

B、高臨界

C、超大寬帶

D、頻譜干凈

E、干擾小

12、納米材料的基本單元包括（）。

A、零維

B、一維

C、二維

D、三維

E、四維

13、集成電路知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)包括（）。

A、功能限定技術(shù)特征

B、標(biāo)準(zhǔn)必要專利

C、具備專利性、構(gòu)成技術(shù)方案的計(jì)算機(jī)程序

D、具備專利性的工藝方法

E、具備專利性的芯片產(chǎn)品

14、評(píng)價(jià)集成電路的主要參數(shù)指標(biāo)有（）。

A、封裝

B、芯片面積

C、晶圓直徑

D、特征尺寸

E、集成度

15、電子材料對(duì)所處的環(huán)境因素有哪些方面的要求？（）

A、溫度

B、延展度

C、濕度

D、化學(xué)顆粒與塵埃

E、毒菌和昆蟲(chóng)

16、集成電路產(chǎn)業(yè)具有高度（）密集型和（）密集型特征。

A、資源

B、區(qū)域

C、資本

D、技術(shù)

E、人才

17、IC產(chǎn)業(yè)是國(guó)家（）行業(yè)，對(duì)信息安全、“互聯(lián)網(wǎng)+”建設(shè)和人工智能等戰(zhàn)略的發(fā)展必不可少。

A、戰(zhàn)略性

B、先導(dǎo)性

C、基礎(chǔ)性

D、全局性

E、指導(dǎo)性

18、晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging，縮寫WLP）是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，具有（）、高傳輸速度、（）、散熱好、生產(chǎn)周期短、成本低等優(yōu)勢(shì)。

A、尺寸小

B、高密度連接

C、三維封裝

D、多材料堆疊

E、低密度連接

19、IP核分為（）。

A、設(shè)計(jì)核

B、軟核

C、固核

D、硬核

E、結(jié)構(gòu)核

20、光刻膠壁壘極高，主要體現(xiàn)在（）。

A、人才壁壘

B、工藝壁壘

C、配套光刻機(jī)

D、原材料壁壘

E、客戶認(rèn)證壁壘

21、描述集成電路工藝技術(shù)水平的五個(gè)技術(shù)指標(biāo)是（）。

A、集成度

B、特征尺寸

C、晶片直徑

D、芯片面積

E、封裝

22、集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)的要件有（）。

A、原創(chuàng)性

B、形式要件

C、設(shè)計(jì)權(quán)利

D、使用范圍

E、布圖設(shè)計(jì)

23、集成電路知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)應(yīng)該是（）的。

A、分層級(jí)

B、分階段

C、全鏈條

D、全方位

E、綜合性

24、集成電路布圖設(shè)計(jì)的特點(diǎn)有（）。

A、保護(hù)的延及性

B、對(duì)產(chǎn)品的依附性

C、表現(xiàn)形式具有非任意性

D、可復(fù)制性

E、無(wú)形性

25、用于半導(dǎo)體電路互連的金屬應(yīng)該具備的條件包括（）。

A、高安全性

B、低電阻率

C、熱化學(xué)穩(wěn)定性

D、高可靠性

E、低制造成本

26、第三代半導(dǎo)體材料不僅具有更加優(yōu)秀的電子遷移率，而且具備（）等優(yōu)勢(shì)。

A、成本低

B、耐壓高

C、抗輻射

D、熱導(dǎo)率大

E、使用壽命長(zhǎng)

27、2022年，全球半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域排名前三的行業(yè)分別是（）。

A、新能源

B、5G

C、通信

D、PC/平板

E、工業(yè)/醫(yī)療

28、韓國(guó)三星屬于集成電路垂直整合制造廠，具備（）全流程能力。

A、設(shè)計(jì)

B、制造

C、封裝測(cè)試

D、塑封

E、檢驗(yàn)

29、Chiplet主要幫助半導(dǎo)體解決了先進(jìn)制程帶來(lái)的痛點(diǎn)，其痛點(diǎn)具體包括（）。

A、降低設(shè)計(jì)難度

B、提高制造良率

C、降低設(shè)計(jì)的成本

D、降低制造的成本

E、提高生產(chǎn)速度

30、凸塊工藝是倒裝工藝必備，在晶圓表面植（），是先進(jìn)封裝的核心技術(shù)之一。

A、金線

B、錫球

C、銅塊

D、鋁箔

E、樹(shù)脂

31、第三代半導(dǎo)體材料可以應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？（）

A、印染領(lǐng)域

B、光存儲(chǔ)領(lǐng)域

C、醫(yī)學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域

D、激光打印領(lǐng)域

E、電學(xué)領(lǐng)域

32、砷化鎵廣泛用于（）器件。

A、高速

B、低噪音

C、耐高溫

D、抗輻射

E、大功率

33、當(dāng)納電子材料做到納米級(jí)別時(shí)，會(huì)展現(xiàn)出哪些奇異的特性？（）

A、內(nèi)在效應(yīng)

B、大尺寸效應(yīng)

C、表面效應(yīng)

D、小尺寸效應(yīng)

E、以上都對(duì)

34、中國(guó)專利在半導(dǎo)體集成電路封裝技術(shù)方向的專利側(cè)重點(diǎn)主要在（）。

A、封裝外形-MCP多芯片封裝

B、封裝外形-WLP晶圓級(jí)封裝

C、封裝外形-CSP芯片尺寸封裝

D、包裝材料-塑料封裝技術(shù)

E、芯片級(jí)封裝

35、LTCC封裝材料總體上分為（）。

A、LTCC 基板材料

B、封裝金屬材料

C、焊接材料

D、基板材料

E、引腳材料

36、集成電路布圖設(shè)計(jì)在各國(guó)的名稱有（）。

A、電路設(shè)計(jì)

B、半導(dǎo)體產(chǎn)品拓?fù)鋱D

C、電路布圖

D、掩模版圖

E、掩模作品

37、車輛感知的車載傳感器芯片包括（）。

A、感知?jiǎng)恿ο到y(tǒng)

B、感知底盤

C、感知車身

D、電子電器系統(tǒng)

E、超聲波雷達(dá)

38、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈具體包括（）。

A、上游半導(dǎo)體產(chǎn)品制造

B、下游半導(dǎo)體原材料與設(shè)備供應(yīng)

C、上游半導(dǎo)體原材料與設(shè)備供應(yīng)

D、中游半導(dǎo)體產(chǎn)品制造

E、下游應(yīng)用

39、硅轉(zhuǎn)接板以是否集成特定功能可分為（）。

A、有源芯片

B、無(wú)源芯片

C、中介層

D、無(wú)源轉(zhuǎn)接板

E、有源轉(zhuǎn)接板

40、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策展望與分析的內(nèi)容包括（）。

A、頂層設(shè)計(jì)

B、引導(dǎo)投資

C、人才支持

D、財(cái)稅政策

E、專項(xiàng)補(bǔ)貼

41、集成電路產(chǎn)業(yè)按照過(guò)程，分為（）、（）以及（）三個(gè)環(huán)節(jié)。

A、采購(gòu)

B、設(shè)計(jì)

C、制造

D、封測(cè)

E、檢測(cè)

42、2019-2022年受理民事二審實(shí)體案件8436件中，（）。

A、專利權(quán)屬案件697件

B、技術(shù)秘密侵權(quán)案件213件

C、植物新品種侵權(quán)案件272件

D、計(jì)算機(jī)軟件糾紛案件1743件

E、集成電路布圖設(shè)計(jì)糾紛案件14件

43、零部件職業(yè)基礎(chǔ)和從業(yè)技能課程安排嚴(yán)重不足，同時(shí)也缺乏對(duì)崇尚（）的工匠精神的引導(dǎo)。

A、求精

B、求實(shí)

C、求新

D、精于設(shè)計(jì)

E、善于攻堅(jiān)

44、全球半導(dǎo)體材料、EDA和部分關(guān)鍵設(shè)備市場(chǎng)主要被（）所壟斷。

A、美國(guó)

B、歐盟

C、日本

D、荷蘭

E、我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)

45、工業(yè)控制芯片主要面向于（）方面。

A、開(kāi)關(guān)控制量

B、模擬量控制

C、運(yùn)動(dòng)控制

D、信息采集

E、工業(yè)無(wú)線

46、和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有（）等優(yōu)點(diǎn)。

A、抗輻射性

B、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)

C、高飽和電子漂移速率

D、高熱導(dǎo)率

E、高鍵合能

47、半導(dǎo)體硅片壁壘較高，主要體現(xiàn)在（）等方面。

A、技術(shù)

B、資金

C、人才

D、客戶認(rèn)證

E、原材料

48、半導(dǎo)體材料有哪些結(jié)構(gòu)（）？

A、六角螺旋結(jié)構(gòu)

B、六方密集堆結(jié)構(gòu)

C、閃鋅礦結(jié)構(gòu)

D、金剛石結(jié)構(gòu)

E、纖鋅礦結(jié)構(gòu)

49、當(dāng)前集成電路的發(fā)展受“四堵墻”的制約，“四堵墻”是指（）。

A、存儲(chǔ)墻

B、速度墻

C、面積墻

D、功能墻

E、功耗墻

50、半導(dǎo)體制造的步驟包括（）。

A、晶圓加工

B、氧化

C、光刻

D、測(cè)試

E、封裝

51、芯片封裝測(cè)試包括（）和（）兩個(gè)環(huán)節(jié)，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的下游。

A、封裝

B、測(cè)量

C、封凍

D、測(cè)試

E、檢測(cè)

52、下面屬于國(guó)內(nèi)法律制度的是（）。

A、《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例實(shí)施細(xì)則》

B、《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》

C、《集成電路布圖設(shè)計(jì)行政執(zhí)法辦法》

D、《集成電路布圖設(shè)計(jì)審查與執(zhí)法指南(試行)》

E、《最高人民法院關(guān)于開(kāi)展涉及集成電路布圖設(shè)計(jì)案件審判工作的通知》

53、先進(jìn)電子材料主要有哪些應(yīng)用領(lǐng)域？（）

A、微鈉電子材料領(lǐng)域

B、二維分子材料領(lǐng)域

C、光電子材料領(lǐng)域

D、功能分子材料領(lǐng)域

E、一維分子材料領(lǐng)域

54、下面屬于國(guó)際公約的是（）。

A、《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例實(shí)施細(xì)則》

B、《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》

C、《關(guān)于集成電路的知識(shí)產(chǎn)權(quán)條約》

D、《與貿(mào)易有關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)協(xié)議》

E、《最高人民法院關(guān)于開(kāi)展涉及集成電路布圖設(shè)計(jì)案件審判工作的通知》

55、常見(jiàn)的元素半導(dǎo)體包括（）等12種元素。

A、硅

B、鍺

C、碘

D、碳

E、氧

56、2022年全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模為4080億美元，（）與（）共同構(gòu)成集成電路產(chǎn)業(yè)的兩大支柱。

A、存儲(chǔ)芯片

B、邏輯芯片

C、微處理器

D、模擬芯片

E、處理芯片

57、2022年1月，國(guó)務(wù)院印發(fā)《“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》提出，要瞄準(zhǔn)（）、量子信息、網(wǎng)絡(luò)通信、（）、關(guān)鍵軟件、大數(shù)據(jù)、（）、區(qū)塊鏈、新材料等戰(zhàn)略性前瞻性領(lǐng)域。

A、傳感器

B、集成電路

C、人工智能

D、機(jī)器人

E、物聯(lián)網(wǎng)

58、硅具有（）等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于IC和光伏領(lǐng)域。

A、導(dǎo)電性能好

B、抗輻射

C、穩(wěn)定性高

D、易獲取

E、產(chǎn)量大

59、第三代半導(dǎo)體材料主要包括（）等，因其禁帶寬度大于或等于2.3電子伏特，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。

A、砷化鎵

B、碳化硅

C、鈣化鈉

D、硅

E、金剛石

60、促使中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷發(fā)展和進(jìn)步的因素有（）。

A、國(guó)家政策利好

B、5G新能源等技術(shù)增長(zhǎng)推動(dòng)

C、晶圓廠設(shè)備增長(zhǎng)推動(dòng)

D、國(guó)際合作

E、技術(shù)壟斷

61、關(guān)于半導(dǎo)體材料，下列說(shuō)法正確的是（）。

A、第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺為代表

B、第一代半導(dǎo)體材料以砷化鎵為代表

C、第二代半導(dǎo)體材料以氮化鎵、氧化鋅、碳化硅為代表

D、第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵為代表

E、第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵、氧化鋅、碳化硅為代表

62、半導(dǎo)體應(yīng)用在（）等領(lǐng)域。

A、集成電路

B、消費(fèi)電子

C、通信系統(tǒng)

D、光伏發(fā)電

E、照明應(yīng)用

63、芯片核心設(shè)備主要有（）。

A、微處理器

B、互連架構(gòu)

C、芯片拼裝設(shè)備

D、芯片封測(cè)設(shè)備

E、晶圓制造設(shè)備

64、關(guān)于氧化鋅材料，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A、氧化鋅是第三代半導(dǎo)體材料

B、氧化鋅是第二代半導(dǎo)體材料

C、其禁帶寬度比較大、電子的飽和速度高

D、禁帶寬度比較小、電子的飽和速度低

E、可用于制作藍(lán)綠光和紫外光的發(fā)光器件

65、（）、（）和（）是當(dāng)前國(guó)際公認(rèn)的新科技革命的三大支柱。

A、材料

B、能源

C、信息技術(shù)

D、紡織

E、以上都對(duì)

66、碳化硅材料有哪些優(yōu)點(diǎn)？（）

A、硬度較高

B、耐高溫

C、熱傳導(dǎo)性較好

D、高載流子飽和速度

E、低擊穿場(chǎng)

67、世界制造強(qiáng)國(guó)分三大陣營(yíng)，分別是（）。

A、美國(guó)第一

B、德國(guó)、日本居第二

C、英國(guó)、德國(guó)居第二

D、中國(guó)處在第三陣營(yíng)

E、日本、中國(guó)處在第三陣營(yíng)

68、集成電路的法律保護(hù)有（）。

A、標(biāo)準(zhǔn)法

B、保密法

C、競(jìng)爭(zhēng)法

D、科技法

E、民商法

69、按照物理性質(zhì)，電子材料分為哪些種類？（）

A、微電子材料

B、超導(dǎo)材料

C、半導(dǎo)體材料

D、磁性材料

E、光電材料

70、中國(guó)企業(yè)不僅在本國(guó)部署了大量專利，同時(shí)，在（）部署了220件、194件、122件同族專利。

A、美國(guó)

B、日本

C、韓國(guó)

D、荷蘭

E、加拿大

71、企業(yè)可以采用（）等方式，與具有先進(jìn)半導(dǎo)體集成電路封裝技術(shù)的企業(yè)開(kāi)展合作。

A、技術(shù)許可

B、授權(quán)使用

C、購(gòu)買

D、聯(lián)合開(kāi)發(fā)

E、并購(gòu)

72、SIP是將多種功能芯片，包括（）等功能芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本完整的功能。

A、處理器

B、硅片

C、基板

D、存儲(chǔ)器

E、FPGA

73、常規(guī)的集成電路一般要經(jīng)過(guò)（）等半導(dǎo)體制造工藝。

A、氧化

B、光刻

C、蒸鋁

D、擴(kuò)散

E、外延

74、相比于硅材料，石墨烯有哪些優(yōu)點(diǎn)？（）

A、電子遷移率高于硅

B、電子遷移率不隨溫度變化

C、電子遷移率低于硅

D、石墨烯的電子遷移率隨溫度變化快

E、兼具金屬和半導(dǎo)體性質(zhì)

75、石墨烯在光學(xué)領(lǐng)域上的應(yīng)用包括（）。

A、高頻晶體管

B、低頻晶體管

C、量子點(diǎn)晶體管

D、超薄分子膜

E、超敏感氣體傳感器

76、（）是指以半導(dǎo)體晶體材料，經(jīng)平面工藝加工制造，將電路的元件、器件和互連線集成在基片內(nèi)部、表面或基片之上的微小型化電路或系統(tǒng)。

A、掩模作品

B、集成電路

C、掩模版圖

D、集成電路布圖設(shè)計(jì)

77、半導(dǎo)體設(shè)備由成千上萬(wàn)的零部件組成，零部件的性能、質(zhì)量和精度直接決定設(shè)備的（）和（）。

A、價(jià)格

B、可靠性

C、穩(wěn)定性

D、需求量

E、應(yīng)用范圍

78、中國(guó)制造的特點(diǎn)是（）。

A、有品種優(yōu)勢(shì)，無(wú)品質(zhì)優(yōu)勢(shì)

B、有成本優(yōu)勢(shì)，無(wú)技術(shù)優(yōu)勢(shì)

C、有速度優(yōu)勢(shì)，無(wú)質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)

D、有產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，無(wú)品牌優(yōu)勢(shì)

E、有規(guī)模優(yōu)勢(shì)，無(wú)結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)

79、按照功能結(jié)構(gòu)的不同，半導(dǎo)體可分為（）。

A、光電半導(dǎo)體

B、集成電路

C、光電器件

D、傳感器

E、分立器件

80、就半導(dǎo)體工藝整體而言，（）和（）兩個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)壁壘極高。

A、硅片制造

B、芯片制造

C、封裝測(cè)試

D、提純

E、光刻

81、芯粒異質(zhì)集成涉及的典型先進(jìn)封裝技術(shù)包括（）。

A、硅通孔

B、超高密扇出

C、Chiplet

D、EMIB

E、混合鍵合

判斷題

1、硅片可直接用于集成電路制造中。

2、侵害集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)的法律責(zé)任不包括民事責(zé)任。

3、1980年，我國(guó)成功研制出第四代光刻機(jī)，其光刻精度達(dá)到3μm，與國(guó)際先進(jìn)水平接近。

4、先進(jìn)電子材料具有優(yōu)異的性能。

5、行政救濟(jì)途徑主要包括行政復(fù)議、行政復(fù)審、行政撤銷、行政調(diào)解、行政處理等。

6、我國(guó)集成電路的光刻膠主要靠進(jìn)口，對(duì)外依存度達(dá)到了90%以上。

7、1994年4月1日，“巴黎統(tǒng)籌委員會(huì)”(簡(jiǎn)稱“巴統(tǒng)”)正式宣告解散。

8、存內(nèi)計(jì)算的能效高、精度低。近存計(jì)算的算力高、精度高，它是一種基于先進(jìn)封裝的技術(shù)途徑，通過(guò)超短互連技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器和處理器之間數(shù)據(jù)的近距離搬運(yùn)。

9、光刻膠和光刻機(jī)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中屬于中游制造。

10、版權(quán)對(duì)集成電路的保護(hù)主要是對(duì)軟核、固核的保護(hù)，即相應(yīng)的指令序列、程序軟件的保護(hù)。

11、Fan-in封裝的芯片尺寸和產(chǎn)品尺寸在二維平面上是一樣大的，芯片有足夠的面積把所有的I/O接口都放進(jìn)去，但伴隨I/O數(shù)目的增加，焊球間距的要求也趨于嚴(yán)格。

12、晶體管裝配的電子設(shè)備其裝配密度比集成電路提高幾十倍到幾千倍，設(shè)備的穩(wěn)定工作時(shí)間也大大提高。

13、芯片切割工藝主要是把硅片切成單個(gè)芯片，并第一時(shí)間處理硅片上的硅屑，避免對(duì)后續(xù)工作開(kāi)展及質(zhì)量控制造成阻礙。

14、倒裝工藝是指在芯片的I／O焊盤上直接沉積，或通過(guò)RDL布線后沉積凸塊（Bump），然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合，芯片電氣面朝上。

15、電子材料是指與電子工業(yè)有關(guān)的、專門應(yīng)用于信息、電子電氣等領(lǐng)域的專用材料，是制作電子及微電子元器件、元器件搭載體及周邊部件的物質(zhì)基礎(chǔ)。

16、未來(lái)，砷化鎵和磷化銦半導(dǎo)體的發(fā)展方向是減小晶體直徑。

17、設(shè)計(jì)、制造過(guò)程可能給芯片帶來(lái)一定的失效，測(cè)試過(guò)程不會(huì)。

18、目前來(lái)看，碳化硅集成電路仍是主流，它是把實(shí)現(xiàn)某種功能的電路所需的各種元件都放在一塊碳化硅片上，所形成的整體被稱作碳化硅集成電路。

19、碳化硅模塊的功率密度顯著強(qiáng)于硅基模塊。在相同功率等級(jí)下，全SiC模塊的封裝尺寸顯著小于Si模塊。

20、硅鍺材料可用于光探測(cè)領(lǐng)域。

21、《條例》第五十一條規(guī)定了行政責(zé)任。

22、Fabless模式主要的優(yōu)勢(shì)有不承擔(dān)由于市場(chǎng)調(diào)研不準(zhǔn)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)缺陷等決策風(fēng)險(xiǎn)。

23、先進(jìn)封裝技術(shù)不僅可以增加功能、提升產(chǎn)品價(jià)值，還能有效降低成本，成為延續(xù)摩爾定律的重要路徑。

24、1947年，英國(guó)人發(fā)明了晶體管。

25、我國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)口依賴度較低。

26、整體來(lái)看，汽車芯片產(chǎn)業(yè)鏈的重點(diǎn)企業(yè)基本為國(guó)內(nèi)企業(yè)，國(guó)外的領(lǐng)先企業(yè)數(shù)量不多。

27、塑封環(huán)節(jié)主要有三種方式：第一種是陶瓷封裝，第二種是塑料風(fēng)格，第三種叫做金屬封裝。

28、我國(guó)是制造業(yè)強(qiáng)國(guó)，是全球電子產(chǎn)品的第一制造大國(guó)，全球有90%的個(gè)人筆記本電腦、智能手機(jī)，還有大量的電子設(shè)備是在中國(guó)制造的，所以我國(guó)芯片可以自給自足。

29、專利申請(qǐng)波動(dòng)態(tài)勢(shì)主要受中國(guó)和美國(guó)申請(qǐng)量的影響。

30、長(zhǎng)三角地區(qū)是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)最扎實(shí)、技術(shù)最先進(jìn)的區(qū)域。

31、目前在我們電腦CPU領(lǐng)域里邊，主要的廠家大概就只有英特爾和AMD，它們幾乎壟斷了個(gè)人計(jì)算機(jī)領(lǐng)域90%以上的市場(chǎng)份額。

32、半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎(chǔ)材料。

33、硅晶圓生產(chǎn)步驟中硅晶棒的拋光是第一道工序。

34、先進(jìn)封裝以內(nèi)部封裝工藝的先進(jìn)性為評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)，并以內(nèi)部連接有無(wú)基板作為標(biāo)準(zhǔn)分三大類。

35、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國(guó)形成規(guī)模以來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共經(jīng)歷了兩次大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。

36、第三代半導(dǎo)體材料更適用于制作高溫、低頻、抗輻射及低功率的電子器件。

37、氧化鋅介電常數(shù)和壓電常數(shù)都非常高。

38、電子學(xué)是微電子學(xué)的理論分支。

39、1963年，韓國(guó)人從美國(guó)引進(jìn)了集成電路，后來(lái)居上，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)頭羊。

40、半導(dǎo)體硅片純度極高，小尺寸為大勢(shì)所趨。

41、傳統(tǒng)的芯片制造，都是垂直一體化的IDM模式。

42、光刻膠波長(zhǎng)越長(zhǎng)，加工分辨率越高。不同的集成電路工藝在光刻中對(duì)應(yīng)使用不同波長(zhǎng)的光源。

43、根據(jù)ARM公布的芯片出貨數(shù)據(jù)，截止到2019年，基于ARM授權(quán)的芯片出貨量超過(guò)1660億顆，占全球整個(gè)芯片市場(chǎng)出貨量的市場(chǎng)份額高達(dá)43%。

44、據(jù)摻雜雜質(zhì)不同，我們把半導(dǎo)體可以分為N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體主要摻雜的是五價(jià)元素，如磷、砷等。

45、石墨烯結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。

46、硬核是用硬件描述語(yǔ)言或軟件編程語(yǔ)言描述的功能塊。

47、半導(dǎo)體集成電路是依靠所謂的平面工藝一層一層制備起來(lái)的。對(duì)于邏輯器件，簡(jiǎn)單地說(shuō)，首先是在Si襯底上劃分制備晶體管的區(qū)域，然后是離子注入實(shí)現(xiàn)N型和P型區(qū)域，其次是做柵極，隨后又是離子注入，完成每一個(gè)晶體管的源極和漏極。這部分工藝流程是為了在Si襯底上實(shí)現(xiàn)N型和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，又被稱為前道工藝。

48、芯片的線路和觸點(diǎn)測(cè)試不屬于勞動(dòng)密集型。

49、有源轉(zhuǎn)接板是無(wú)源轉(zhuǎn)接板的技術(shù)延伸，在無(wú)源轉(zhuǎn)接板內(nèi)部集成一些功能單元。

50、法國(guó)科學(xué)家費(fèi)爾和德國(guó)的科學(xué)家格林貝爾發(fā)現(xiàn)了巨磁阻效應(yīng)。

51、受制于產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)以及當(dāng)前人才培養(yǎng)體制機(jī)制等因素，集成電路高端人才的稀缺將是一個(gè)長(zhǎng)期問(wèn)題。

52、LTCC封裝金屬材料主要根據(jù)金屬封裝材料特性進(jìn)行選擇，需要綜合考慮金屬材料的熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)、密度、可焊性、工藝成熟性等。

53、社會(huì)各界對(duì)維權(quán)援助機(jī)構(gòu)的了解度較高。

54、集成電路在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比超過(guò)80%，目前全球?qū)p摻硅片需求更大。

55、集成電路是一個(gè)投入高、回報(bào)慢的行業(yè)。

56、目前我國(guó)集成電路自給率比較低，核心芯片缺乏。

57、在晶圓上完成電路圖的氧化后，就要用刻蝕工藝來(lái)去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點(diǎn)就需要利用液體、氣體或等離子體來(lái)去除選定的多余部分。

58、集成電路產(chǎn)業(yè)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的關(guān)鍵性和戰(zhàn)略性作用日益凸顯。

59、集成電路（芯片）是典型的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品（IP產(chǎn)品）。

60、目前設(shè)計(jì)復(fù)用方法在很大程度上要依靠固核，將RTL級(jí)描述結(jié)合具體標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)進(jìn)行邏輯綜合優(yōu)化，形成門級(jí)網(wǎng)表，再通過(guò)布局布線工具最終形成設(shè)計(jì)所需的硬核。

61、我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)相較于發(fā)達(dá)國(guó)家仍有一定發(fā)展空間，技術(shù)和研發(fā)水平落后于國(guó)際先進(jìn)水平，日本是全球最大的集成電路消費(fèi)國(guó)家。

62、巨磁阻的主要材料是硅、鐵、鋅。

63、碳納米管，是1991年由日本電鏡學(xué)家飯島教授通過(guò)高分辨電鏡發(fā)現(xiàn)的。

64、為了適應(yīng)整機(jī)和設(shè)備的小型化、輕量化、薄型化、數(shù)字化、多功能以及生產(chǎn)自動(dòng)化的趨勢(shì)，現(xiàn)在社會(huì)要求電子元器件開(kāi)發(fā)、向著小型化、高集成化、片式化發(fā)展。

65、我國(guó)改革開(kāi)放以后，1982年在國(guó)務(wù)院層面成立電子計(jì)算機(jī)及大型集成電路領(lǐng)導(dǎo)工作小組辦公室，半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)正式提上日程。

66、寬禁帶半導(dǎo)體材料具有耐酸、耐堿、耐腐蝕的特性。

67、第二代半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用在國(guó)防、航空、航天、石油勘探、光存儲(chǔ)等領(lǐng)域，有著重要的應(yīng)用前景。

68、按應(yīng)用領(lǐng)域，集成電路分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和專用集成電路。

69、航天771所的專利技術(shù)側(cè)重點(diǎn)為預(yù)成型封裝。

70、在半導(dǎo)體工藝中，我國(guó)在芯片封裝領(lǐng)域市場(chǎng)占有率比較高，說(shuō)明封裝的技術(shù)壁壘比較高。

71、TSV是一種垂直互連技術(shù)，是由威廉·肖克利（William Shockley）于1968年提出的。

72、DIP封裝發(fā)展迅速，被許多半導(dǎo)體廠商和研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為是最有前途的封裝方法。

73、光刻機(jī)只能用在前道工藝，不可以用在后道工藝。

74、集成電路實(shí)際上是一種技術(shù)手段。

75、國(guó)內(nèi)企業(yè)在硅通孔和再布線工藝方面也有相應(yīng)的專利布局。

76、從集成電路銷售區(qū)域分布方面來(lái)看，中國(guó)大陸為集成電路產(chǎn)業(yè)第一大市場(chǎng)。

77、近年來(lái)，我國(guó)集成電路行業(yè)發(fā)展勢(shì)頭不負(fù)眾望，特別是在制造領(lǐng)域有了明顯突破。

78、專利部署在的中國(guó)時(shí)間主要是集中在1995年到2022年之間。

79、集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上游為集成電路設(shè)計(jì)、制造與芯片產(chǎn)品。